Транзистор официальный сайт: Поставка и продажа светодиодного оборудования Арлайт

Транзистор Toshiba

транзисторы

Заказать оборудование Toshiba

Перейти в каталог Toshiba

Купить Транзистор Toshiba в компании Олниса можно оптом или в розницу. Доставим Транзистор Toshiba в любой регион России. Можем предложить точный аналог. Работаем напрямую с производителем, не используя посредников.

Транзистор – это один из основных полупроводниковых элементов, используемый для усиления, преобразования и генерирования электрических сигналов (иными словами – это устройство для контроля электрического тока, проходящего сквозь прибор). Производится это устройство с полупроводниковых материалов, в основном кремниевого или германиевого сплава.

Транзисторы делятся на два вида:

• полевой
• биполярный

В полевых транзисторах управление электрическим током, что проходит сквозь него, проводится электрическим полем. Эти устройства называют униполярными. Это означает, что принцип работы основывается на работе одного вида носителя. В свою очередь полевые транзисторы делятся на два типа:

• с изолирующим затвором, который еще называют MOSFET
• с управляющим p-n переходом

Каждый транзистор оснащен тремя электродами: утечка, сток и затвор.

Более 30 лет компания Toshiba является одним из мировых лидеров в разработке и создании транзисторов, и многих других компонентов.

В большинстве своем транзисторы Toshiba используют только в тех устройствах, которые требуют мгновенного управления мощной энергией. Так, например, их используют в роли силового ключа для разнообразных устройств в импульсном блоке питания, в инверторе напряжения, а так же в сварочном оборудовании инверторного типа. Insulated Gate Bipolar Transistor – биполярный транзистор с изолированным затвором — это комбинация входящего сопротивления MOSFET транзистора с большим напряжением коммутации двухполюсного транзистора. Направленная проводимость биполярного транзистора позволяет сделать его использование наилучшим в тех случаях, в которых нужны напряжения высокой амплитуды и увеличенные токи коммутации.

Олниса представляет класс IGBT-транзисторов Toshiba, что предоставляют скоростное переключение, при помощи различных комбинаций довольно малого количества инжектированных носителей.

Главные особенности IGBT-транзисторов Toshiba:

• Молниеносное переключение до 2 мкс.
• Небольшое падение напряжения на открытом транзисторе и при высоких токах.
• Присутствие встроенных электродов с подходящими свойствами

Большое входное сопротивление, которое дает возможность управлять Insulated Gate Bipolar Transistor, используя напряжение.

В структуре Insulated Gate Bipolar Transistor  4 слоя (pnpn). Невысокое напряжение насыщения доходит с помощью pnp транзистора, который моделирует проводимость тогда, когда транзистор работает.

Каталог продукции Олниса, являющейся мультибрендовым поставщиком электронного оборудования в России и по всем странам СНГ, содержит широкий выбор транзисторов Toshiba. Мы поможем подобрать и доставим в любую точку России любое электротехническое оборудование. Сотрудничая с Олниса, клиент получает неизменно профессиональный сервис, доставку заказанной продукции до двери, возможность рассрочки платежа и неизменно – соблюдение гарантийных обязательств

Официальный сайт Toshiba

Toshiba Corporation – это всемирно известная корпорация, которая существует уже более 140 лет.

Транзистор Toshiba 2SK1489

Транзистор представляет собой активный компонент и полупроводниковое устройство, которое используется

ТРАНЗИСТОР, ЗАВОД вакансии, официальный сайт, телефон отдела кадров, отзывы

Фото:

График работы

Вакансии

Полный список

Каталог товаров и услуг

Описание

Как добраться до ТРАНЗИСТОР, ЗАВОД

✔ запомнить адрес 220064, Беларусь, Минск, ул. Корженевского;

✔ позвонить по телефону и уточнить условия для посещения;

✔ посмотреть на карте города , как удобнее доехать на машине или общественным транспортом.

Лучший хостинг подкастов для нескольких шоу

Transistor позволяет создавать, импортировать и размещать неограниченное количество подкастов в вашей учетной записи за одну месячную плату.

Переключитесь на Transistor и сэкономьте деньги

Большинство хостинговых компаний берут с вас большие деньги за размещение более одного подкаста.

При переходе на Transistor вы можете размещать несколько подкастов и платить только одну ежемесячную плату.

Каждый раз, когда вы создаете новый подкаст на Transistor, вы получаете:

Что можно делать с несколькими подкастами?

Подкастеры, ведущие несколько шоу, могут экспериментировать и пробовать разные форматы:

1. Увеличение количества шоу — один из лучших способов увеличить количество слушателей, которых вы получаете каждый месяц.

2. Наличие нескольких шоу позволяет опробовать новые концепции и выбрать тему (или формат) подкаста, которая больше всего откликается.

3. Создавайте несколько форматов для разных слушателей! Некоторым людям нравятся двухчасовые интервью, другим нравятся 30-минутные пригородные шоу, а большинство людей посмотрят 5-минутный эпизод с яркими моментами.

Просмотреть все →

Автоматическая публикация подкаста на YouTube

Transistor может автоматически загружать каждый эпизод подкаста, который вы публикуете на YouTube. Мы конвертируем ваши аудиофайлы в видеофайлы вместе с фоновым изображением по вашему выбору.

Платформа для размещения подкастов с динамической рекламой

«У Transistor лучший инструмент для вставки динамической рекламы, который я когда-либо использовал». Наш инструмент DAI позволяет подкастерам автоматически вставлять рекламу или объявления в начало, середину или конец своих выпусков.

Встраиваемый проигрыватель подкастов

Отобразите свой последний выпуск на главной странице или отобразите определенный выпуск в записи блога. Вы также можете встроить весь свой подкаст, используя наш многосерийный проигрыватель подкастов.

Специальный выпуск о миниатюрных транзисторах, том II

Микромашины (Базель). 2022 апрель; 13(4): 603.

Опубликовано в сети 12 апреля 2022 г. doi: 10.3390/mi13040603

Информация об авторе Примечания к статье Информация об авторских правах и лицензии Отказ от ответственности

В связи с большим успехом первоначального специального выпуска, посвященного миниатюрным транзисторам [1], в этом втором томе мы решили продолжить рассмотрение постоянно развивающегося прогресса в масштабировании микроэлектронных устройств. Комплементарные устройства металл-оксид-полупроводник (КМОП) продолжают подвергаться миниатюризации, несмотря на кажущиеся физические ограничения масштабирования, чему способствуют передовые технологии изготовления. Мы также отмечаем, что миниатюризация не всегда относится к новейшим технологическим узлам для цифровых транзисторов. Скорее, применяя новые материалы и геометрию устройства, мы отмечаем, что можно добиться значительного уменьшения размера микроэлектронных устройств для широкого круга приложений. Достижения, достигнутые в масштабировании устройств для приложений, выходящих за рамки цифровой логики (например, силовые приложения, оптоэлектроника и датчики), выходят на передний план миниатюризации микроэлектроники. Кроме того, всем этим достижениям способствуют улучшения в моделировании и моделировании используемых материалов и структур устройств. В частности, автоматизированное проектирование технологических процессов и устройств (TCAD) стало незаменимым в цикле проектирования новых устройств и технологий.

В этом специальном выпуске опубликовано 19 исследовательских работ, охватывающих последние достижения в области исследований, связанных с миниатюризацией транзисторов, включая теоретические оценки новой геометрии устройств, применение материалов с широкой запрещенной зоной для мощных приложений, методы моделирования крупномасштабных устройств. , а также устройства для приложений в оптоэлектронике и сенсорике. Кроме того, в этот специальный выпуск включены три обзора, в одном из которых рассматривается масштабирование транзисторов в соответствии с законом Мура и представлены идеи о том, что нас ждет впереди [2], а в другом исследуется применимость гетеропереходов оксид металла/полимер для гибкой и портативной электроники [3]. , и третий, который выполняет анализ надежности крупномасштабных устройств, где кинетика зарядки одиночных дефектов играет критическую роль [4].

Три обзорные статьи, представленные в этом специальном выпуске, хорошо обобщают влияние миниатюризации на современный ландшафт полупроводниковых устройств. Они включают в себя масштабирование транзисторов в соответствии с законом Мура и введение новых материалов и гетеропереходов для новых захватывающих приложений в гибкой и портативной электронике. Однако за миниатюризацию и масштабирование приходится платить, как обсуждается в третьем обзоре, посвященном влиянию дефектов на масштабируемые устройства. Радамсон и др. [2] представляют обзор развития полевого транзистора металл-оксид-полупроводник (MOSFET) за последние десятилетия, следуя международной дорожной карте технологий полупроводников (ITRS). Они сосредотачиваются на методологиях, проблемах и трудностях, когда ITRS подходит к концу, и обсуждают новые и появляющиеся материалы канала после эпохи Мура. Чон и др. [3] представили подробный обзор применения гибридных пленок полимер/оксид металла для гибких и носимых устройств. Эти нанокомпозиты являются отличными материалами для гибкой электроники благодаря сочетанию долговечности полимеров и превосходных электронных свойств оксидов металлов. Авторы подчеркивают успехи, достигнутые в улучшении электрических характеристик этих устройств, изучая их подвижность и диэлектрическую проницаемость, а также изучая разработку интерфейсов и ее влияние на электронные свойства. Уолтл [4] завершает этот специальный выпуск тщательным анализом надежности масштабируемых полупроводниковых транзисторов. По мере дальнейшей миниатюризации транзисторов одиночные дефекты играют все возрастающую роль в производительности и надежности устройства. Уолтл изучает температурную нестабильность смещения (BTI) на уровне отдельных дефектов, чтобы провести углубленное исследование кинетики захвата заряда дефектами, чтобы в конечном итоге дать точную оценку срока службы устройства.

Влияние одиночных дефектов также изучается Stampfer et al. [5]. Авторы этой статьи рассматривают неблагоприятные последствия миниатюризации. В основном они наблюдают, как миниатюризация приводит к увеличению вариативности среди номинально идентичных устройств, в первую очередь из-за повышенного относительного влияния оксидных ловушек. С помощью измерений случайного телеграфного шума (RTN) авторы могут определить высоту ступеней дефектов, присутствующих на границе раздела Si/SiO ₂ . Они отмечают, что, в отличие от недавно опубликованных исследований, можно наблюдать бимодальное распределение высоты ступеней. Cheung, в [6], с другой стороны, исследует потенциальное применение устройства MOSFET с одним дефектом для реализации неуловимого источника квантованного тока. Их экспериментальные результаты на полевом МОП-транзисторе с одним дефектом показывают, что один заряд, накачиваемый за цикл, является допустимым, что побуждает к дальнейшим исследованиям накачки заряда на основе квантовых источников тока.

В связи с увеличением масштабов устройств и неопределенностью того, что лежит за пределами закона Мура после достижения физических пределов, многие исследователи теоретизируют о новых конструкциях транзисторов. Для этого необходимо применение передовых инструментов TCAD. Больше не разумно ожидать, что любой потенциальный проект можно протестировать в лаборатории, поскольку это сопряжено с чрезвычайно высокими затратами, особенно на передовых технологических узлах. Вместо этого многие исследователи полагаются на TCAD как на первоначальную оценку предлагаемых ими идей устройства. Имея это в виду, в [7] Вульф представляет компактную модель нанотранзистора, которая позволяет извлекать важные параметры устройства, такие как эффективная высота барьера исток-сток, нагрев устройства и качество связи между каналом проводимости. и контакты. Затем эта модель используется для количественного описания квантового транспорта в различных промышленных нано-ПТ. Медина-Байлон и др. [8] представили квантовое усовершенствование симулятора 2D Multi-Subband Ensemble Monte Carlo (MS-EMC), в частности, для наблюдения за поведением транзистора в нанометровом масштабе. Ким и др. [9] используйте моделирование TCAD для изучения различий между механизмами памяти в поликремниевых и однотранзисторных ячейках динамической памяти с произвольным доступом (1T-DRAM) на кремниевом корпусе. Они обнаружили, что поликремниевая 1T-DRAM может выполнять операции с памятью, используя границы зерен (GB) в качестве областей хранения в устройствах с тонким корпусом с небольшой площадью плавающего тела (FB). Чжан и др. [10] предлагают реализацию нового нанопроволочного транзистора типа «сердечник-изолятор-затвор-все-вокруг» (CIGAA), который демонстрирует низкий ток в выключенном состоянии по сравнению с традиционными нанопроводными устройствами «затвор-изолятор» (GAA), что делает его идеальным для будущего. энергоэффективные приложения. Хан и др. [11] предложили GAA-транзистор на основе германия, который демонстрирует всесторонне улучшенные характеристики по сравнению с кремниевыми GAA-транзисторами. В частности, полевой транзистор GAA из германия демонстрирует более высокое отношение ON/OFF по сравнению с кремнием, а также устойчивый и крутой средний подпороговый размах. Чен и др. В [12] представлена ​​конструкция трехканального полевого транзистора с тремя входами (TI-TcFET) с несколькими контактами затвора (сверху, спереди и сзади) для улучшения управления затвором канала. Авторы показывают, что предлагаемое устройство можно использовать для упрощения сложных схем за счет использования меньшего количества транзисторов, чем в традиционной КМОП-технологии.

Помимо цифровой логики, мощные электронные устройства играют очень важную роль в развитии современных технологий. Они являются важными компонентами продвижения к автономным транспортным средствам и более безопасным воздушным и космическим путешествиям, а также обеспечивают важный прогресс в области применения экологически чистой энергии и общего повышения энергоэффективности. В шести статьях этого специального выпуска рассматриваются новинки, связанные с мощными электронными устройствами, в основном использующими широкозонные полупроводники, такие как карбид кремния (SiC) и нитрид галлия (GaN). Чиен и др. [13] исследуют применение силового полевого транзистора металл-оксид-полупроводник (MOSFET) с разделенным затвором (SGT) для снижения удельного сопротивления в открытом состоянии. Они отмечают, что нижний эпитаксиальный слой двойной эпитаксиальной структуры может быть спроектирован так, чтобы выдерживать напряжение пробоя, а верхний слой может регулироваться для уменьшения сопротивления в открытом состоянии. Джиа и др. В работе [14] представлен полевой транзистор металл-полупроводник 4H-SiC (MESFET) со слоистыми легированными и нелегированными областями. После оптимизации толщины нелегированной области авторы получили увеличение эффективности добавления мощности (PAE) на 85,8% и увеличение тока насыщения на 27,4% по сравнению с 4H-SiC MESFET с двойным углублением. Ли и др. [15] проверили надежность SiC MOSFET на 1200 В от различных производителей, подвергая их нагрузке до отказа. Сняв крышки с неисправных устройств и наблюдая за поперечным сечением поврежденного элемента, они обнаружили, что высокая температура, вызванная чрезмерным протеканием тока через устройства во время испытаний на перенапряжение, является основной причиной отказа. В статье Li et al. В работе [16] авторы предлагают и тестируют устройство SiC MOSFET, способное удовлетворить требования защиты микросетей постоянного тока. Их прототип был разработан, испытан и сравнен с альтернативным биполярным транзистором с изолированным затвором (IGBT) на основе кремния, что показало большие перспективы его применения в твердотельном автоматическом выключателе. Гуо и др. В работе [17] изучались тепловые характеристики импульсных транзисторов AlGaN/GaN с высокой подвижностью электронов (HEMT). Их модели показывают, что на максимальную температуру канала и тепловое сопротивление устройств существенное влияние оказывают ширина импульса и плотность мощности, а геометрия затворов, т. е. вариации затворных пальцев и их ширины, не влияют на температуру канала , пока общая ширина ворот и активная площадь остаются постоянными. Чжу и др. В работе [18] предложена новая конструкция многозаглубленного металл-полупроводникового полевого транзистора 4H-SiC с p-буферным слоем и двойным углублением (IMRD 4H-SiC MESFET) с высоким КПД. Их конструкция показывает улучшение PAE почти на 70% по сравнению с аналогичными современными конструкциями. В дополнительном вкладе Zhu et al. [19] предлагается новый AlGaN/GaN HEMT с высоким затвором и многоутопленным буфером (HGMRB) для приложений с высокой энергоэффективностью. Их конструкция обещает увеличение напряжения пробоя на 16,7% при снижении емкости затвор-исток на 17%. Моделирование радиочастот (РЧ) показало впечатляющие PAE 90,8%, 89,3% и 84,4% на частотах 600 МГц, 1,2 ГГц и 2,4 ГГц соответственно.

В этом специальном выпуске также рассматриваются приложения, выходящие за рамки цифровой логики и мощных приложений. Было включено несколько исследовательских работ, в которых обсуждаются новые технологии зондирования и визуализации. Ченг и др. В работе [20] изучались возможности использования транзисторов с вакуумным каналом в быстродействующей электронике с малыми потерями для работы в условиях высоких температур и радиации. Их измерения вертикальных диодов также показывают, что ток и напряжение изменяются в зависимости от давления и состава газа в окружающей среде, что предполагает потенциальное применение этих устройств для измерения газа и давления. Мао и др. [21] предложили транзистор с плавающим затвором с двумя управляющими затворами, чтобы обеспечить активный контроль шума в биоэлектрических измерениях. Преимуществом их реализации является возможность использования экономичного процесса изготовления КМОП из одного поликремния. Чжи и др. [22] представили новую конструкцию лавинного фотодиода (APD), которая совместима со стандартным КМОП-процессом Тайваньской полупроводниковой производственной компании (TSMC), реализуя масштабирование в этих устройствах за счет интеграции между оптоэлектронными и цифровыми компонентами. Изготовленное устройство способно работать на длине волны 850 нм. Наконец, McGhee и Georgiev в [23] применяют полуэмпирические расчеты теории функционала плотности (DFT) для изучения процесса легирования переноса поверхности между алмазом (100) с концевыми водородными группами и оксидами металлов MoO ₃ и В ₂ О ₅ . Их исследование показывает, что оба оксида действуют как акцепторы электронов и вводят дырки в структуру алмаза, а это означает, что эти оксиды металлов можно описать как легирующие материалы p-типа для алмаза. Исследование предполагает возможность использования осажденных оксидов металлов в атмосфере, богатой кислородом, для улучшения переноса легирования поверхности между алмазом и оксидами.

Наконец, мы хотели бы воспользоваться этой возможностью, чтобы поблагодарить всех авторов за предоставление исключительных и очень актуальных научных статей для этого специального выпуска. Мы также хотели бы искренне поблагодарить всех рецензентов, которые потратили драгоценное время на тщательное изучение и помощь в улучшении качества всех представленных рукописей. Рецензирование является важным компонентом хорошей науки, и они заслуживают признания за успех этого специального выпуска. Мы искренне надеемся, что результаты, представленные в этом специальном выпуске, окажутся полезными для ученых и инженеров, находящихся в авангарде этой быстро развивающейся и расширяющейся области. Сейчас, как никогда, важно искать решения, чтобы найти следующие прорывные технологии, которые позволят миниатюризировать транзисторы далеко за пределы физических ограничений кремния и текущего уровня техники. Это требует широкой атаки, включая исследования новых и инновационных конструкций, а также новых материалов, которые становятся все более специфичными для приложений, чем когда-либо прежде.

Авторы заявляют об отсутствии конфликта интересов.

Примечание издателя: MDPI сохраняет нейтралитет в отношении юрисдикционных претензий в опубликованных картах и ​​институциональной принадлежности.

1. Филипович Л., Грассер Т. Редакционная статья для специального выпуска о миниатюрных транзисторах. Микромашины. 2019;10:300. doi: 10.3390/mi10050300. [Бесплатная статья PMC] [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]

2. Радамсон Х.Х., Хе Х., Чжан К., Лю Дж., Цуй Х., Сян Дж., Конг З., Сюн В., Ли Дж., Гао Дж. и др. Миниатюризация КМОП. Микромашины. 2019;10:293. doi: 10.3390/mi10050293. [Бесплатная статья PMC] [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]

3. Jeong J.W., Hwang H.S., Choi D., Ma BC, Jung J., Chang M. Hybrid Polymer/Metal Oxide Thin Films for High Performance, Гибкие транзисторы. Микромашины. 2020;11:264. doi: 10.3390/mi11030264. [Бесплатная статья PMC] [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]

4. Уолтл М. Надежность миниатюрных транзисторов с точки зрения единичных дефектов. Микромашины. 2020;11:736. дои: 10.3390/ми11080736. [Бесплатная статья PMC] [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]

5. Штампфер Б., Шановский Ф., Грассер Т., Уолтл М. Полуавтоматическое извлечение распределения одиночных дефектов для nMOS-транзисторов. Микромашины. 2020;11:446. doi: 10.3390/mi11040446. [Бесплатная статья PMC] [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]

6. Cheung K.P., Wang C., Campbell J.P. Наноразмерный МОП-транзистор как потенциальный источник квантового тока при комнатной температуре. Микромашины. 2020;11:364. doi: 10.3390/mi11040364. [Бесплатная статья PMC] [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]

7. Вульф У. Одномерная эффективная модель нанотранзисторов в формализме Ландауэра-Бюттикера. Микромашины. 2020;11:359. doi: 10.3390/mi11040359. [PMC free article] [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]

8. Медина-Байлон К., Каррильо-Нуньес Х., Ли Дж., Сампедро К., Падилья Дж.Л., Донетти Л., Георгиев В., Гамиз Ф., Асенов А. Квантовое улучшение модели туннелирования S/D в двумерном симуляторе наноустройств MS-EMC: сравнение NEGF и влияние изменения эффективной массы. Микромашины. 2020;11:204. дои: 10.3390/ми11020204. [Бесплатная статья PMC] [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]

9. Kim H., Yoo S., Kang I.M., Cho S., Sun W., Shin H. Analysis of Sensing Margin of Silicon and Poly -Си 1Т-ДРАМ. Микромашины. 2020;11:228. doi: 10.3390/mi11020228. [Бесплатная статья PMC] [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]

10. Zhang Y., Han K., Li J. Моделирование нанопроводного транзистора с затвором и сердечником-изолятором. Микромашины. 2020;11:223. doi: 10.3390/mi11020223. [Бесплатная статья PMC] [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]

11. Хан К., Лонг С., Дэн З., Чжан Ю., Ли Дж. Новый туннельный полевой транзистор с германием вокруг истока и затвором для маломощных приложений. Микромашины. 2020;11:164. doi: 10.3390/mi11020164. [Бесплатная статья PMC] [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]

12. Chen Z., Hu J., Ye H., Chu Z. T-Channel Field Effect Transistor with Three Input Terminals (Ti-TcFET) Micromachines . 2020;11:64. doi: 10.3390/mi11010064. [Бесплатная статья PMC] [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]

13. Chien F.T., Wang Z.Z., Lin C.L., Kang T.K., Chen C.W., Chiu H.C. Траншейные силовые МОП-транзисторы на 150–200 В с несколькими эпитаксиальными слоями. Микромашины. 2020;11:504. doi: 10.3390/mi11050504. [Бесплатная статья PMC] [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]

14. Jia H., Liang Y., Li T., Tong Y., Zhu S., Wang X., Zeng T., Yang Y. Улучшенный DRUS 4H-SiC MESFET с повышенной энергоэффективностью. Микромашины. 2020;11:35. doi: 10.3390/mi11010035. [Бесплатная статья PMC] [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]

15. Ли Х., Ван Дж., Рен Н., Сюй Х., Шэн К. Исследование надежности SiC MOSFET на 1200 В при перенапряжении. Микромашины. 2019;10:485. doi: 10.3390/mi10070485. [Бесплатная статья PMC] [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]

16. Li H., Yu R., Zhong Y., Yao R., Liao X., Chen X. Проектирование миниатюрного твердотельного устройства постоянного тока на 400 В Автоматический выключатель с SiC MOSFET. Микромашины. 2019;10:314. doi: 10.3390/mi10050314. [Бесплатная статья PMC] [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]

17. Guo H., Chen T., Shi S. Моделирование переходных процессов для оптимизации тепловой конструкции импульсных AlGaN/GaN HEMT. Микромашины. 2020;11:76. дои: 10.3390/ми11010076. [Бесплатная статья PMC] [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]

18. Zhu S., Jia H., Wang X., Liang Y., Tong Y., Li T., Yang Y. Improved MRD 4H- SiC MESFET с высокой добавленной эффективностью. Микромашины. 2019;10:479. doi: 10.3390/mi10070479. [Бесплатная статья PMC] [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]

19. Zhu S., Jia H., Li T., Tong Y., Liang Y., Wang X., Zeng T., Yang Y. Новый высокоэнергоэффективный AlGaN/GaN HEMT с высоким затвором и многоутопленным буфером. Микромашины. 2019;10:444. doi: 10.3390/mi10070444. [Бесплатная статья PMC] [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]

20. Chang W.T., Hsu H.J., Pao P.H. Вертикальные автоэмиссионные диоды и транзисторы с воздушным каналом.